چکیده:

در این سخنرانی ابتدا به معرفی ساختار ترانزیستور HEMT و مبانی فیزیکی آن، از جمله به چگونگی شکل گیری باندهای انرژی و تشکیل گاز الکترونی 2DEG پرداخته می شود. سپس به مدلسازی رفتار این نوع ترانزیستور پرداخته می شود. در بخش دوم، روشهای مدلسازی این افزاره جهت کاربردهای عملی مورد بحث قرار می گیرد. در بخش سوم، پس از معرفی سیستم MBE، اجزاء آن و اصول عملکردی آن، به چگونگی و مراحل ساخت افزاره GaN HEMT  با استفاده از این سیستم پرداخته می شود.