در این سخنرانی ابتدا به معرفی ساختار دو نوع ترانزیستور HEMT  و LDMOS که دو گروه مهم از ترانزیستورهای فرکانس-بالا و توان بالا هستند، پرداخته می‌شود. سپس مبانی فیزیکی عملکرد این ترانزیستورها و پس از آن به اصول علمی مدلسازی آنها اشاره می شود. مدل‌های معروف این ترانزیستورها که به صورت صنعتی و در سطح جهانی مطرح هستند، پرداخته می‌شود. در این بخش، اصول استخراج پارامترهای مدل و چالش‌های آن مورد بررسی قرار  می‌گیرد و در نهایت به نقش اثرات پارازیتیک در عملکرد این افزاره‌ها و رویکرد مدلسازی آنها پرداخته می‌شود. در نهایت به نرم‌افزارهای مهمی که در این حوزه کاربرد دارند، مورد بررسی قرار می‌گیرند.