ثبت‌نام در نشست طراحی و ساخت ترانزیستور GaN HEMT‌ با استفاده از دستگاه MBE

زمان برگزاری:شنبه ۱۴۰۲/۱۰/۰۲ ساعت ۱۰:۰۰ الی ۱۲:۰۰

مکان برگزاری: سالن جلسات پژوهشکده الکترونیک

زمان شروع ثبت نام:چهارشنبه ۱۴۰۲/۰۹/۱۵ ساعت ۹:۰۰

زمان پایان ثبت نام:جمعه ۱۴۰۲/۱۰/۰۱ ساعت ۲۳:۵۹

مشخصات فردی
عنوان:*
نام*
نام نام خانوادگی
ایمیل*
شماره همراه:
مثال: 0912xxxxxxx
نحوه حضور:*
- شرکت‌کننده
- سخنران
مشخصات محل کار/تحصیل
نام اداره / سازمان/ دانشگاه:*
نام اداره/ سازمان/ دانشگاه:*
لطفا نام اداره / سازمان/ دانشگاه خود را در این قسمت به صورت کامل وارد نمایید.
سمت*
سمت:*
لطفا سمت خود را در این قسمت به صورت کامل وارد نمایید (برای مثال فارغ التحصیل کارشناسی‌ارشد دانشگاه ...)
رشته تحصیلی:*
گرایش:*
شماره تلفن:*
مثال 02177240xxx
شماره فکس:
مثال 02177240xxx
گروه مربوطه
گروه مرجع (دانشکده):*
انگیزه شما از شرکت در این نشست:*
- انجام پروژه‌های درسی و پایانی کارشناسی‌ارشد و دکتری
- برقراری ارتباط با صنعت
- ایجاد تعاملات دانشگاهی بین‌الملیی
- سایر
انگیزه از شرکت در این نشست:*
لطفا انیزه خود از شرکت ردر این نشست را در این قسمت به صورت کامل وارد نمایید.
اطلاعات تماسی که در این فرم وارد نموده اید ممکن است برای اطلاع‌رسانی‌های بعدی به شما استفاده شود.
همچنین مشخص نمائید:
- من مایل به دریافت اطلاعات رویدادهای بعدی از طریق ایمیل هستم.
کد امنیتی
Comments
این فیلد برای اعتبار سنجی است و باید بدون تغییر باقی بماند .

ثبت‌نام در نشست طراحی و ساخت ترانزیستور GaN HEMT‌ با استفاده از دستگاه MBE

لینک های مفید:

نشانی:

تلفن/ایمیل: